插槽不同。DDR3比DDR2的频率更高、速度更快、容量更大、性能更高。
DDR3内存和DDR2内存相比，其实只是规格上的提升，并没有真正的新架构进行全面替代。DDR3和DDR2的插针数量都是240针。但是，缺口对于防呆的位置是不同的。DDR3在大容量内存上有更好的支持，大容量内存的分水岭是4GB，这是32位操作系统的上限。当市场需求超过4GB时，64位CPU和操作系统是唯一的解决方案，此时正是DDR3内存的普及期。
【资料图】
一、DDR2和DDR3内存特性差异：
1.逻辑库数量
DDR2 SDRAM有4Bank和8Bank两种设计，目的是为了满足未来大容量芯片的需求。DDR3很可能是从2Gb的容量起步，所以初期的逻辑库是8个，也为未来的16个逻辑库做好了准备。
2.包装
由于DDR3有一些新的功能，引脚会有所增加。8位芯片采用78球FBGA封装，16位芯片采用96球FBGA封装，DDR2采用60/68/84球FBGA封装。而且DDR3必须是绿色包装，不能含有任何有害物质。
3.突发长度
因为DDR3的预取是88位，所以突发长度(BL)也固定为8。对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的。DDR3增加了4位突发斩波模式，即BL=8的数据突发由BL=4的读操作和BL=4的写操作合成。
4.寻址时序
就像DDR2从DDR转换过来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也会比DDR2增加。一般DDR2的CL范围在2-5之间，而DDR3的CL范围在5-11之间，附加延迟(al)的设计也有变化。在DDR2，AL的范围是0到4，而在DDR3中，AL有三个选项，即0、CL-1和CL-2。此外，DDR3增加了一个新的时序参数，即——写入延迟(CWD)，具体取决于具体的工作频率。
第二，与DDR2相比，DDR3有优势(桌面无缓冲DIMM):
1.速度更快：预取缓冲区的宽度从4bit增加到8bit，在内核相同频率下的数据传输能力将是DDR2的两倍。
2.更省电：DDR3模块电压在DDR2由1.8V降至1.5V，比同频率的DDR2更省电。借助SRT(自刷新温度)功能，增加内部温度传感器，可以根据温度动态控制更新速率(RASR，部分阵列自刷新功能)，达到省电的目的。
3.更大的容量：更多的银行。按照JEDEC标准，DDR2应该可以达到每单元4Gb的容量(也就是单个模块可以达到8GB)。但根据目前很多DRAM厂商的规划，DDR2生产可能会跳过这个4GB的单位容量，也就是说单个DDR2 DRAM模块的容量最多只会达到4Gb。DDR3模块容量会从1GB起步，目前单个模块规划到16GB没问题(注：这里指的是专门用于零售组装市场的无缓冲DIMM，但FB和Registered for server不限于此)。
本文到此结束，希望对大家有所帮助。
